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간략한 소개
용접 사이리스터 모듈 ,MTC200 ，200A, 공기 냉각 ,tECHSEM에서 생산됨.
VDRM, VRRM |
유형 및 개요 |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTC200-06-229H3/229H3B MTC200-08-229H3/229H3B MTC200-10-229H3/229H3B MTC200-12-229H3/229H3B MTC200-14-229H3/229H3B MTC200-16-229H3/229H3B MTC200-18-229H3/229H3B |
기능 ：
전형적 응용 ：
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, Tc=85 °C |
125 |
|
|
200 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
125 |
|
|
314 |
A |
|
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
40 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=60%VRRM |
125 |
|
|
4.0 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
80 |
A 2s*10 3 |
||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.70 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
1.11 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.6 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
250 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.16 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.08 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
단자 연결 토크(M6) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
165 |
|
g |
개요 |
229H3 、229H3B |
||||||
개요
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