Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =25 о C |
|
1.40 |
1.85 |
В
|
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =125 о C |
|
1.60 |
|
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =175 о C |
|
1.60 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В |
|
28.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =-15…+15V |
|
2.05 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A, R G =0.5Ω, L С =40nH, В GE =-8V/+15V,
Т vj =25 о C
|
|
168 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
78 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
428 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
123 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
43.4 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
77.0 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A,
R G =0.5Ω, L С =40nH,
В GE =-8V/+15V,
Т vj =125 о C
|
|
172 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
84 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
502 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
206 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
86.3 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
99.1 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A,
R G =0.5Ω, L С =40nH,
В GE =-8V/+15V,
Т vj =175 о C
|
|
174 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
90 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
531 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
257 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
99.8 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
105 |
|
mJ |
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤8μs, В GE =15В,
Т vj =150 о В,
В CC =800V, В СМК ≤ 1200В
|
|
2600
|
|
A
|
т P ≤6μs, В GE =15В,
Т vj =175 о В,
В CC =800V, В СМК ≤ 1200В
|
|
2500
|
|
A
|