Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 900А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
1410
900
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1800 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C |
5000 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
900 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1800 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
4000 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =900A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.80 |
2.25 |
В
|
Я C =900A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
2.10 |
|
Я C =900A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.15 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =22.5 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.6 |
|
ω |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15V…+15V |
|
7.40 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =900A,
R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω, В GE =±15В,Т j =25 о C
|
|
257 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
96 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
628 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
103 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
43 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
82 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =900A,
R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,
В GE =±15В,Т j = 125о C
|
|
268 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
107 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
659 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
144 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
59 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
118 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =900A,
R Гон = 1.5Ω,R Гофф =0.9Ω,
В GE =±15В,Т j = 150о C
|
|
278 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
118 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
680 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
155 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
64 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
134 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC =800V,
В СМК ≤ 1200 В
|
|
3600
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =900A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.71 |
2.16 |
В
|
Я К =900A,V GE =0V,T j = 125о C |
|
1.74 |
|
Я К =900A,V GE =0V,T j = 150о C |
|
1.75 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =900A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
76 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
513 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
38.0 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =900A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C
|
|
143 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
684 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
71.3 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I К =900A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C
|
|
171 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
713 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
80.8 |
|
mJ |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.18 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.030
0.052
|
K/W |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
